ON Semiconductor
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FDFMA2P859T
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FDFMA2P859T

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Número de pieza
FDFMA2P859T
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
MicroFET 2x2 Thin
Disipación de energía (máx.)
1.4W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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