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FDMA410NZT
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-ULMP
Número de pieza
FDMA410NZT
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-ULMP (2x2)
Disipación de energía (máx.)
2.4W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1310pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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