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FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
Número de pieza
FDMC2610
Fabricante/Marca
Serie
UniFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-MLP (3.3x3.3)
Disipación de energía (máx.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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