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FDMS1D4N03S
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Número de pieza
FDMS1D4N03S
Fabricante/Marca
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-PQFN (5x6), Power56
Disipación de energía (máx.)
74W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Body)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
211A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.09 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10250pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±16V
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