ON Semiconductor
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FDP2D3N10C
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FDP2D3N10C

MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Número de pieza
FDP2D3N10C
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220-3
Disipación de energía (máx.)
214W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
222A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 700µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
11180pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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