ON Semiconductor
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FDS2672
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FDS2672

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
Número de pieza
FDS2672
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
UltraFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.9A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2535pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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