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FDS86140
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Número de pieza
FDS86140
Fabricante/Marca
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.8 mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2580pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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