La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQAF13N80
MOSFET N-CH 800V 8A TO-3PF
Número de pieza
FQAF13N80
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
SC-94
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3PF
Disipación de energía (máx.)
120W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 49625 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQAF13N80
FQAF13N80 Componentes electrónicos
FQAF13N80 Ventas
FQAF13N80 Proveedor
FQAF13N80 Distribuidor
FQAF13N80 Tabla de datos
FQAF13N80 Fotos
FQAF13N80 Precio
FQAF13N80 Oferta
FQAF13N80 El precio más bajo
FQAF13N80 Buscar
FQAF13N80 Adquisitivo
FQAF13N80 Chip