Comprar ON Semiconductor H11A817W OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

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Hojas de datos

H11A817W

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Número de pieza

H11A817W

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tipo de entrada

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 100°C

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Tipo de salida

Transistor

número de canales

Paquete de dispositivo del proveedor

4-DIP

Corriente - Salida / Canal

50mA

Voltaje - Aislamiento

5300Vrms

Tiempo de subida/caída (típico)

2.4µs, 2.4µs

Voltaje - Salida (Máx.)

70V

Voltaje - Directo (Vf) (Típico)

1.2V

Corriente - CC directa (si) (máx.)

50mA

Ratio de transferencia actual (mín.)

50% @ 5mA

Relación de transferencia actual (máx.)

600% @ 5mA

Hora de encendido/apagado (típico)

Saturación Vce (máx.)

200mV

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