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IRLI510ATU

MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK

Número de pieza

IRLI510ATU

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAK (TO-262)

Disipación de energía (máx.)

3.8W (Ta), 37W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 2.8A, 5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±20V

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