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NTGD4169FT1G
MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Número de pieza
NTGD4169FT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
6-TSOP
Disipación de energía (máx.)
900mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.6A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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