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NTLJF4156NT1G
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Número de pieza
NTLJF4156NT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-WDFN (2x2)
Disipación de energía (máx.)
710mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.5A (Tj)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
427pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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