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NTTFS4H07NTAG

MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL

Número de pieza

NTTFS4H07NTAG

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerWDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-WDFN (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

2.64W (Ta), 33.8W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

18.5A (Ta), 66A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

771pF @ 12V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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