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NVATS68301PZT4G

MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK

Número de pieza

NVATS68301PZT4G

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

DPAK

Disipación de energía (máx.)

84W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

31A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

75 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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