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NVD4809NHT4G
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Número de pieza
NVD4809NHT4G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Ta), 58A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 11.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2155pF @ 12V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 11.5V
Vgs (máx.)
±20V
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