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NVMFS5830NLT3G
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NVMFS5830NLT3G

MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL
Número de pieza
NVMFS5830NLT3G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Disipación de energía (máx.)
3.8W (Ta), 158W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
29A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
113nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5880pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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