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NVMFS6B03NWFT1G
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NVMFS6B03NWFT1G

MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
Número de pieza
NVMFS6B03NWFT1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Disipación de energía (máx.)
3.9W (Ta), 198W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±16V
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