ON Semiconductor
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NVMFS6H800NT1G
Hojas de datos

NVMFS6H800NT1G

TRENCH 8 80V NFET
Número de pieza
NVMFS6H800NT1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN, 5 Leads
Paquete de dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Disipación de energía (máx.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
28A (Ta), 203A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 330µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5530pF @ 40V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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