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QS8J2TR
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
Número de pieza
QS8J2TR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SMD, Flat Lead
Potencia - Máx.
550mW
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT8
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1940pF @ 6V
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