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R6020ANZC8

R6020ANZC8

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Número de pieza
R6020ANZC8
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Bulk
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3P-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3PF
Disipación de energía (máx.)
120W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
20A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.15V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2040pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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Palabras clave deR6020ANZC8
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