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RCD051N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Número de pieza
RCD051N20TL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
CPT3
Disipación de energía (máx.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
760 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.25V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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