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RDD050N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Número de pieza
RDD050N20TL
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
CPT3
Disipación de energía (máx.)
20W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
720 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
292pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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