Comprar Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

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RQ6E055BNTCR

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Número de pieza

RQ6E055BNTCR

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paquete de dispositivo del proveedor

TSMT6 (SC-95)

Disipación de energía (máx.)

1.25W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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