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RS1E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Número de pieza
RS1E180BNTB
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-HSOP
Disipación de energía (máx.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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