Comprar Rohm Semiconductor RS1G260MNTB MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

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Hojas de datos

RS1G260MNTB

MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Número de pieza

RS1G260MNTB

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-HSOP

Disipación de energía (máx.)

3W (Ta), 35W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

26A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2988pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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