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RSQ020N03TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Número de pieza
RSQ020N03TR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Disipación de energía (máx.)
600mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
134 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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