Comprar Rohm Semiconductor SCT2H12NZGC11 MOSFET N-CH 1700V 3.7A

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SCT2H12NZGC11

MOSFET N-CH 1700V 3.7A

Número de pieza

SCT2H12NZGC11

Fabricante/Marca

Rohm Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-3PFM, SC-93-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-3PFM

Disipación de energía (máx.)

35W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1700V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 900µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 18V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

184pF @ 800V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

18V

Vgs (máx.)

+22V, -6V

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