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SCT3160KLGC11
MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
Número de pieza
SCT3160KLGC11
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247N
Disipación de energía (máx.)
103W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
17A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
208 mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.6V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
398pF @ 800V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
18V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
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