La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SCT30N120
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Número de pieza
SCT30N120
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
HiP247™
Disipación de energía (máx.)
270W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
40A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.6V @ 1mA (Typ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 400V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 40443 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deSCT30N120
SCT30N120 Componentes electrónicos
SCT30N120 Ventas
SCT30N120 Proveedor
SCT30N120 Distribuidor
SCT30N120 Tabla de datos
SCT30N120 Fotos
SCT30N120 Precio
SCT30N120 Oferta
SCT30N120 El precio más bajo
SCT30N120 Buscar
SCT30N120 Adquisitivo
SCT30N120 Chip