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STB20NM50-1
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
Número de pieza
STB20NM50-1
Fabricante/Marca
Serie
MDmesh™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I2PAK
Disipación de energía (máx.)
192W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
550V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
20A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1480pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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