Comprar STMicroelectronics STB4NK60Z-1 MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK

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STB4NK60Z-1

MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK

Número de pieza

STB4NK60Z-1

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAK

Disipación de energía (máx.)

70W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 50µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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