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STB9NK80Z

MOSFET N-CH 800V D2PAK

Número de pieza

STB9NK80Z

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK

Disipación de energía (máx.)

125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.2A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1138pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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