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STI19NM65N

MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK

Número de pieza

STI19NM65N

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I2PAK

Disipación de energía (máx.)

150W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

15.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 7.75A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±25V

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