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STL11N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Número de pieza
STL11N3LLH6
Fabricante/Marca
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 24V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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