Comprar STMicroelectronics STL18NM60N MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

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Hojas de datos

STL18NM60N

MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

Número de pieza

STL18NM60N

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-PowerFlat™ HV

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerFlat™ (8x8) HV

Disipación de energía (máx.)

3W (Ta), 110W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.1A (Ta), 12A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

310 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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