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STL19N60M2
MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT
Número de pieza
STL19N60M2
Fabricante/Marca
Serie
MDmesh™ M2
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
4-PowerFlat™ HV
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerFlat™ (8x8) HV
Disipación de energía (máx.)
90W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
791pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
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