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STL26NM60N

MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

Número de pieza

STL26NM60N

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-PowerFlat™ HV

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerFlat™ (8x8) HV

Disipación de energía (máx.)

125mW (Ta), 3W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.7A (Ta), 19A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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