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STL4P2UH7
MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
Número de pieza
STL4P2UH7
Fabricante/Marca
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerFlat™ (2x2)
Disipación de energía (máx.)
2.4W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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