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STS19N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Número de pieza
STS19N3LLH6
Fabricante/Marca
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
2.7W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
19A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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