Comprar STMicroelectronics STS3P6F6 MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

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Hojas de datos

STS3P6F6

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Número de pieza

STS3P6F6

Fabricante/Marca

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

2.7W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 48V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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