Comprar Texas Instruments CSD13306WT MOSFET N-CH 12V 6DSBGA

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Hojas de datos

CSD13306WT

MOSFET N-CH 12V 6DSBGA

Número de pieza

CSD13306WT

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-UFBGA, DSBGA

Paquete de dispositivo del proveedor

6-DSBGA (1x1.5)

Disipación de energía (máx.)

1.9W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 6V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±10V

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