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CSD16327Q3T

Número de pieza

CSD16327Q3T

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

74W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

60A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 24A, 8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 12.5V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

3V, 8V

Vgs (máx.)

+10V, -8V

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