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CSD17308Q3T

CSD17308Q3T

MOSFET N-CH 30V 50A
Número de pieza
CSD17308Q3T
Fabricante/Marca
Serie
NexFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Disipación de energía (máx.)
2.7W (Ta), 28W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
14A (Ta), 44A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10.3 mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
3V, 8V
Vgs (máx.)
+10V, -8V
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