Comprar Texas Instruments CSD17313Q2Q1T MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

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CSD17313Q2Q1T

MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

Número de pieza

CSD17313Q2Q1T

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-WDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

6-WSON (2x2)

Disipación de energía (máx.)

2.4W (Ta), 17W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4A, 8V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.8V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

3V, 8V

Vgs (máx.)

+10V, -8V

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