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CSD17575Q3T

CSD17575Q3T

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Número de pieza
CSD17575Q3T
Fabricante/Marca
Serie
NexFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
8-VSONP (5x6)
Disipación de energía (máx.)
2.8W (Ta), 108W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4420pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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