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CSD18511KCS

NEW LF VERSION OF CSD18502KCS

Número de pieza

CSD18511KCS

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220-3

Disipación de energía (máx.)

188W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

194A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5940pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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