Comprar Texas Instruments CSD18536KTTT MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

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Hojas de datos

CSD18536KTTT

MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

Número de pieza

CSD18536KTTT

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Paquete de dispositivo del proveedor

DDPAK/TO-263-3

Disipación de energía (máx.)

375W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

200A (Ta), 349A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11430pF @ 30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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