Comprar Texas Instruments CSD19502Q5BT MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6

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Hojas de datos

CSD19502Q5BT

MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6

Número de pieza

CSD19502Q5BT

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-VSON-CLIP (5x6)

Disipación de energía (máx.)

3.1W (Ta), 195W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

80V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4870pF @ 40V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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