Comprar Texas Instruments CSD19535KTT MOSFET N-CH 100V 200A TO263

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CSD19535KTT

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Número de pieza

CSD19535KTT

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Paquete de dispositivo del proveedor

DDPAK/TO-263-3

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

200A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7930pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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