Comprar Texas Instruments CSD19536KTTT MOSFET N-CH 100V 200A TO263

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CSD19536KTTT

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Número de pieza

CSD19536KTTT

Fabricante/Marca

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Paquete de dispositivo del proveedor

DDPAK/TO-263-3

Disipación de energía (máx.)

375W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

200A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12000pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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